Транзистор N-MOSFET ONSEMI NDP6060L, 60В, 48А, 100Вт, TO220AB (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET от бренда ONSEMI, модель NDP6060L. Это полевой транзистор с каналом обогащения, рассчитанный на максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 48 А. Мощность рассеивания составляет 100 Вт, корпус — TO220AB.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 В
• Максимально допустимый ток стока: 48 А
• Максимальная мощность рассеивания: 100 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 40 мОм
• Корпус: TO220AB
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 60 В и максимально допустимый ток стока 48 А. Максимальная мощность рассеивания равна 100 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 40 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 16 В.

Конструкция и монтаж

Изделие выполнено в корпусе TO220AB. Тип монтажа — выводной (THT). Транзистор является однополярным (unipolar) с каналом обогащения (enhancement mode). Заряд затвора составляет 60 нКл.

Комплектация

В наборе 10 транзисторов.