
Драйвер затвора ONSEMI NCP5181DR2G, полумост IGBT/MOSFET, 2 канала, SO8 (набор 20 шт.)
2 850 ₴
- В наличии
- Код: TM204949
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Интегральная микросхема ONSEMI NCP5181DR2G — драйвер затвора типа high-side / low-side с 2 каналами, топология — полумост IGBT, полумост MOSFET. Корпус SO8, монтаж — SMD. В наборе 20 шт.
- Тип: драйвер затвора
- Топология: полумост IGBT, полумост MOSFET
- Количество каналов: 2
- Напряжение питания: от 10 до 20 В DC
- Класс напряжения: 600 В
- Количество в наборе: 20 шт.
Электрические параметры
Напряжение питания — от 10 до 20 В DC. Выходной ток — от -2,2 до 1,4 А. Класс напряжения — 600 В. Защита — от пониженного напряжения (UVP). Время нарастания импульса — 60 нс, время спада импульса — 40 нс.
Условия эксплуатации
Рабочая температура — от -40 до +125 °C.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Количество в упаковке | 20 шт |
| Количество каналов | 2 |
| Тип корпуса | SO8 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Пользовательские характеристики | |
| Выходной ток | -2.2–1.4 А |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Напряжение питания | 10...20 В DC |
| Рабочая температура | -40–125 °C |
| Состояние | Новое |
Информация для заказа
- Цена: 2 850 ₴
