Транзистор NPN ONSEMI MMUN2211LT1G — это биполярный компонент со встроенными резисторами (BRT) в корпусе SOT23. Упаковка содержит 90 единиц.
- Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
- Ток коллектора: 0,1 А
- Мощность рассеивания: 0,246 Вт
- Корпус SOT23 (TO236AB) для SMD монтажа
- Встроенные резисторы: база 10 кОм, эмиттер-база 10 кОм
- Набор из 90 транзисторов
Технические параметры
Компонент рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 50 В и ток коллектора 0,1 А. Мощность рассеивания составляет 0,246 Вт, а коэффициент усиления по току находится в диапазоне 35...60.
Встроенные резисторы
Тип BRT означает наличие встроенных резисторов: база 10 кОм и эмиттер-база 10 кОм. Резисторы интегрированы в корпус.
Корпус и монтаж
Транзистор выполнен в корпусе SOT23 (TO236AB) для поверхностного монтажа (SMD).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.246 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 50 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 90 шт. |
| Корпус | SOT23, TO236AB |
Информация для заказа
- Цена: 1 880 ₴

