Транзистор N-MOSFET x2 IXYS MMIX2F60N50P3, 500 В, 30 А, 320 Вт, SMPD
3 310 ₴
- В наличии
- Код: TM204808
Транзистор N-MOSFET x2 IXYS MMIX2F60N50P3, 500 В, 30 А, 320 Вт, SMPDВ наличии
3 310 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор IXYS MMIX2F60N50P3 типа N-MOSFET x2 (два транзистора), технологии HiPerFET™ и Polar3™, униполярный. Напряжение сток-исток — 500 В, ток стока — 30 А. Корпус SMPD, монтаж SMD.
- Тип: N-MOSFET x2
- Напряжение сток-исток: 500 В
- Ток стока: 30 А
- Импульсный ток стока: 150 А
- Мощность рассеивания: 320 Вт
- Корпус: SMPD
Электрические параметры
Импульсный ток стока — 150 А. Мощность рассеивания — 320 Вт. Сопротивление в открытом состоянии — 0,12 Ом. Напряжение затвор-исток — ±30 В. Заряд затвора — 96 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 320 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 500 В |
| Максимально допустимый ток стока | 30 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 120 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 250 нс |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Корпус | SMPD |
Информация для заказа
- Цена: 3 310 ₴