Транзистор IXYS MMIX1T600N04T2 N-MOSFET 40В 600А GigaMOS

Транзистор IXYS MMIX1T600N04T2 — это полевой N-MOSFET с технологиями GigaMOS™ и TrenchT2™. Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток 40 В и ток стока 600 А, что определяет его мощный класс.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 В
• Максимально допустимый ток стока: 600 А
• Сопротивление в открытом состоянии: 1,3 мОм
• Максимальная мощность рассеивания: 830 Вт
• Корпус: SMPD, монтаж поверхностный

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 40 В, а напряжение затвор-исток ограничено 20 В. Максимальный постоянный ток стока равен 600 А, при этом импульсный ток может достигать 2 кА. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 1,3 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 830 Вт.

Технология и корпус

Транзистор выполнен в корпусе SMPD с поверхностным типом монтажа. Примененные технологии GigaMOS™ и TrenchT2™ характеризуют структуру канала. Время готовности устройства составляет 100 нс. Канал транзистора является обогащаемым, а полярность — униполярной.