Транзистор полевой N-MOSFET IXYS MMIX1F160N30T, GigaMOS™, 300 В, 102 А, 570 Вт, SMPD
3 790 ₴
- В наличии
- Код: TM204806
Транзистор полевой N-MOSFET IXYS MMIX1F160N30T, GigaMOS™, 300 В, 102 А, 570 Вт, SMPDВ наличии
3 790 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Полевой транзистор N-MOSFET IXYS MMIX1F160N30T, выполненный по технологиям GigaMOS™, HiPerFET™ и Trench™, с напряжением сток-исток 300 В и током стока 102 А.
- Тип: N-MOSFET
- Напряжение сток-исток: 300 В
- Ток стока: 102 А
- Импульсный ток стока: 440 А
- Рассеиваемая мощность: 570 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости: 20 мОм
Электрические параметры
Импульсный ток стока составляет 440 А, рассеиваемая мощность — 570 Вт. Напряжение затвор-исток — ±20 В, сопротивление в состоянии проводимости — 20 мОм. Заряд затвора — 367 нКл, время готовности — 200 нс. Канал обогащенного типа, транзистор униполярный.
Корпус и монтаж
Транзистор выпускается в корпусе SMPD, монтаж — поверхностный (SMD).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 570 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 300 В |
| Максимально допустимый ток стока | 102 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 20 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 200 нс |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Корпус | SMPD |
Информация для заказа
- Цена: 3 790 ₴