Транзистор IXYS MMIX1F132N50P3 N-MOSFET 500В 63А SMPD

Транзистор IXYS MMIX1F132N50P3 — это полевой N-MOSFET с каналом обогащения, работающий по технологии Polar3™. Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток 500 В и ток стока 63 А, а также импульсный ток до 330 А.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 В
• Максимально допустимый ток стока: 63 А
• Импульсный ток: 330 А
• Сопротивление в открытом состоянии: 43 мОм
• Корпус: SMPD, монтаж поверхностный

Напряжение и ток

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 500 В, а напряжение затвор-исток ограничено 30 В. Ток стока в нормальном режиме достигает 63 А, а в импульсном режиме может достигать 330 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 43 мОм. Максимальная мощность рассеивания транзистора — 520 Вт.

Корпус и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе SMPD с поверхностным монтажом. Время готовности устройства составляет 250 нс, что характеризует быстродействие переключения. Заряд затвора — 267 нКл. Транзистор является однополярным с каналом обогащения, что реализует технологии HiPerFET™ и Polar3™.