Транзистор ONSEMI MJD127T4G, PNP, Дарлингтон, 100 В, 8 А, DPAK (20 шт.)
2 010 ₴
- В наличии
- Код: TM204757
Транзистор ONSEMI MJD127T4G, PNP, Дарлингтон, 100 В, 8 А, DPAK (20 шт.)В наличии
2 010 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор ONSEMI MJD127T4G — это биполярный транзистор структуры PNP со схемой Дарлингтона. Монтаж: поверхностный. Корпус: DPAK. В комплекте поставляется 20 единиц.
- Тип транзистора: биполярный PNP, схема Дарлингтона
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
- Максимально допустимый ток коллектора: 8 А
- Максимальная мощность рассеивания: 20 Вт
- Корпус: DPAK, тип монтажа: поверхностный
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 100 В и максимальный ток коллектора 8 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 20 Вт.
Конструкция и монтаж
Корпус: DPAK (поверхностный монтаж). Тип транзистора — биполярный, с внутренней схемой Дарлингтона.
Комплектация
В наборе содержится 20 транзисторов MJD127T4G.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 20 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 100 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 8 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
Информация для заказа
- Цена: 2 010 ₴