Транзистор ONSEMI MJD122T4G, NPN, Дарлингтон, 100 В, 8 А, DPAK (20 шт.)

Транзистор ONSEMI MJD122T4G — это биполярный транзистор структуры Дарлингтона с типом проводимости NPN. Предназначен для поверхностного монтажа в корпусе DPAK. В комплекте поставляется 20 штук.

• Тип транзистора: биполярный, структура Дарлингтона
• Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
• Максимально допустимый ток коллектора: 8 А
• Максимальная мощность рассеивания: 1,75 Вт
• Граничная частота передачи: 4 МГц
• Корпус: DPAK, поверхностный монтаж
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 100 В и максимальный ток коллектора 8 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 1,75 Вт. Граничная частота передачи сигнала равна 4 МГц.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в поверхностном корпусе DPAK. Тип монтажа — поверхностный (SMD). Полярность и структура определены как биполярная с эффектом Дарлингтона.

Комплектация

В наборе содержится 20 транзисторов модели MJD122T4G от производителя ONSEMI.