Транзистор ONSEMI MJD112-1G NPN Дарлингтона 100V 2A IPAK (набор 20 шт.)
2 340 ₴
- В наличии
- Код: TM204753
Транзистор ONSEMI MJD112-1G NPN Дарлингтона 100V 2A IPAK (набор 20 шт.)В наличии
2 340 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор ONSEMI MJD112-1G — это биполярный транзистор типа NPN со схемой Дарлингтона. Товар поставляется комплектом из 20 штук в корпусе IPAK для монтажа на плату (THT).
- Тип транзистора: NPN, биполярный, схема Дарлингтона
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер: 100 В
- Ток коллектора: 2 А
- Рассеиваемая мощность: 1,75 Вт
- Коэффициент усиления (hFE): 100...12000
- Корпус: IPAK, монтаж: THT
- Количество в комплекте: 20 шт.
Технические характеристики
Транзистор имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 100 В и ток коллектора 2 А. Коэффициент усиления по току (hFE) составляет от 100 до 12000. Рассеиваемая мощность равна 1,75 Вт.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе IPAK. Монтаж осуществляется методом установки в отверстия (THT).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.75 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 100 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 2 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | IPAK |
Информация для заказа
- Цена: 2 340 ₴