Транзистор P-MOSFET DIOTEC MD06P115 — это полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа.
- Тип транзистора: полевой (P-MOSFET)
- Мощность рассеивания: 1,5 Вт
- Напряжение затвор-исток: 20 В
- Сопротивление Rds: 85 мОм
- Корпус: SOT26, SOT457
- Количество в комплекте: 60 шт.
Электрические параметры и ток
Максимальная мощность рассеивания составляет 1,5 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток равно 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 85 мОм. Максимальный ток стока в импульсе составляет -20 А, а заряд затвора — 16 нКл.
Конструкция и монтаж
Тип монтажа — поверхностный (SMD). Корпус: SOT26, SOT457. Полярность транзистора — униполярная, тип канала — обогащенный.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Diotec Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 85 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 60 шт. |
| Корпус | SOT26, SOT457 |
Информация для заказа
- Цена: 2 150 ₴

