Транзистор IGBT IXYS IXXH30N60B3D1, 600 В, 115 А, TO247AD (набор 3 шт.)
2 060 ₴
- В наличии
- Код: TM203742
Транзистор IGBT IXYS IXXH30N60B3D1, 600 В, 115 А, TO247AD (набор 3 шт.)В наличии
2 060 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор IGBT IXYS IXXH30N60B3D1 — полупроводниковый прибор технологии GenX3™ в корпусе TO247AD. Комплект состоит из 3 единиц с максимально допустимым напряжением коллектор-эмиттер 600 В.
- Тип транзистора: IGBT
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
- Максимально допустимый ток коллектора: 115 А
- Максимальная мощность рассеивания: 270 Вт
- Корпус: TO247AD
- Количество в комплекте: 3 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер 600 В и максимально допустимый ток коллектора 115 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 270 Вт. Заряд затвора равен 39 нКл, а допустимое напряжение затвор-эмиттер — ±20 В.
Конструкция и монтаж
Прибор изготовлен по планарной технологии XPT™ и относится к семейству GenX3™. Корпус TO247AD обеспечивает штыревой тип монтажа.
Комплектация
В набор поставляется 3 транзистора IXXH30N60B3D1.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 270 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 3 шт. |
| Корпус | TO247AD |
Информация для заказа
- Цена: 2 060 ₴