Транзистор P-MOSFET IXYS IXTY18P10T, -100 В, -18 А, 83 Вт, TO252 (набор 5 шт.)
2 170 ₴
- В наличии
- Код: TM203741
Транзистор P-MOSFET IXYS IXTY18P10T, -100 В, -18 А, 83 Вт, TO252 (набор 5 шт.)В наличии
2 170 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET IXYS IXTY18P10T технологии TrenchP™ — униполярный полевой транзистор с каналом обогащенного типа в корпусе TO252. Основные параметры по наименованию: -100 В, -18 А, 83 Вт. В наборе 5 шт.
- Тип: P-MOSFET, TrenchP™
- Напряжение: -100 В
- Ток: -18 А
- Мощность рассеивания: 83 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 120 мОм
- Количество в наборе: 5 шт.
Электрические параметры
Максимальная мощность рассеивания — 83 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 15 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 120 мОм. Заряд затвора — 39 нКл, время готовности — 62 нс.
Монтаж
Корпус — TO252, тип монтажа — поверхностный.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 83 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 15 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 120 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 62 нс |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO252 |
| Технология | TrenchP™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 170 ₴