Транзистор P-MOSFET IXYS IXTX120P20T, -200 В, -120 А, 1040 Вт, PLUS247
2 250 ₴
- В наличии
- Код: TM203740
Транзистор P-MOSFET IXYS IXTX120P20T, -200 В, -120 А, 1040 Вт, PLUS247В наличии
2 250 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET IXYS IXTX120P20T технологии TrenchP™ — униполярный полевой транзистор с каналом обогащенного типа в корпусе PLUS247™. Основные параметры по наименованию: -200 В, -120 А, 1040 Вт.
- Тип: P-MOSFET, TrenchP™
- Напряжение: -200 В
- Ток: -120 А
- Мощность рассеивания: 1040 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 30 мОм
- Корпус: PLUS247™
Электрические параметры
Максимальная мощность рассеивания — 1040 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 15 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 30 мОм. Заряд затвора — 740 нКл, время готовности — 300 нс.
Монтаж
Тип монтажа — вставной (в отверстия).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 1040 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 15 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 30 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 300 нс |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Корпус | PLUS247™ |
| Технология | TrenchP™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 250 ₴