Транзистор P-MOSFET IXYS IXTT68P20T, -200 В, -68 А, 568 Вт, TO268
1 890 ₴
- В наличии
- Код: TM203739
Транзистор P-MOSFET IXYS IXTT68P20T, -200 В, -68 А, 568 Вт, TO268В наличии
1 890 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Полевой транзистор P-MOSFET IXYS IXTT68P20T, выполненный по технологии TrenchP™. Напряжение сток-исток — -200 В, ток стока — -68 А, максимальная мощность рассеивания — 568 Вт.
- Напряжение сток-исток: -200 В
- Ток стока: -68 А
- Мощность рассеивания: 568 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 55 мОм
- Напряжение затвор-исток: 15 В
- Корпус: TO268
Электрические параметры
Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 55 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 15 В. Заряд затвора — 380 нКл, время готовности — 245 нс. Тип канала — обогащенный (режим обогащения), поляризация — униполярная.
Конструкция и монтаж
Корпус — TO268, тип монтажа — поверхностный.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 568 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 15 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 55 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 245 нс |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Корпус | TO268 |
| Технология | TrenchP™ |
Информация для заказа
- Цена: 1 890 ₴