Транзистор P-MOSFET IXYS IXTT50P10, -100 В, -50 А, 300 Вт, TO268 (набор 3 шт.)
2 250 ₴
- В наличии
- Код: TM203738
Транзистор P-MOSFET IXYS IXTT50P10, -100 В, -50 А, 300 Вт, TO268 (набор 3 шт.)В наличии
2 250 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Полевой транзистор P-MOSFET IXYS IXTT50P10. Напряжение сток-исток — -100 В, ток стока — -50 А, максимальная мощность рассеивания — 300 Вт. В наборе 3 шт.
- Напряжение сток-исток: -100 В
- Ток стока: -50 А
- Мощность рассеивания: 300 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 55 мОм
- Корпус: TO268
- Количество в наборе: 3 шт.
Электрические параметры
Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 55 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 20 В. Заряд затвора — 0,14 мкКл, время готовности — 180 нс. Тип канала — обогащенный (режим обогащения), поляризация — униполярная.
Конструкция и монтаж
Корпус — TO268, тип монтажа — поверхностный.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 300 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 55 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 180 нс |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 3 шт. |
| Корпус | TO268 |
Информация для заказа
- Цена: 2 250 ₴