Транзистор N-MOSFET IXYS IXTQ88N30P, 300 В, 88 А, 600 Вт, TO3P (2 шт.)

Транзистор N-MOSFET IXYS IXTQ88N30P — это силовой полевой транзистор с технологией PolarHT™ в корпусе TO3P.

• Тип транзистора: полевой (N-MOSFET)
• Максимальное напряжение сток-исток: 300 В
• Максимальный ток стока: 88 А
• Мощность рассеивания: 600 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 40 мОм
• Корпус: TO3P, выводной монтаж
• Технология: PolarHT™
• Количество в комплекте: 2 шт.

Электрические параметры

Максимальная мощность рассеивания составляет 600 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента. Максимально допустимое напряжение сток-исток равно 300 В, а напряжение затвор-исток ограничено 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 40 мОм, что влияет на потери при проводимости.

Конструкция и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе TO3P с выводным типом монтажа. Используется технология PolarHT™, которая является частью названия модели. Время включения (turn-on time) составляет 250 нс.

Канал и полярность

Транзистор имеет канал обогащения (wzbogacany) и является униполярным (unipolarny). Заряд затвора составляет 180 нКл. Символ производителя: IXTQ88N30P.