Транзистор IXYS IXTQ26P20P, P-MOSFET, PolarP™, TO3P, 300 Вт, 26 А (набор 3 шт.)

Транзистор IXYS IXTQ26P20P — это полевой P-MOSFET транзистор с технологией PolarP™ в корпусе TO3P. Прибор имеет максимальную мощность рассеивания 300 Вт. В комплекте поставляется 3 штуки.

• Тип транзистора: полевой P-MOSFET
• Мощность рассеивания: 300 Вт
• Напряжение затвор-исток: 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии: 170 мОм
• Корпус: TO3P
• Количество в комплекте: 3 шт.

Электрические параметры и характеристики канала

Транзистор является униполярным с обогащаемым каналом. Максимальная мощность рассеивания составляет 300 Вт, а максимально допустимое напряжение затвор-исток — 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 170 мОм.

Конструкция и монтаж

Изделие изготовлено по технологии PolarP™ и имеет корпус TO3P. Тип монтажа — вставной. Время готовности (ready time) составляет 240 нс, а заряд затвора — 56 нКл.

Комплектация и идентификация

В наборе находится 3 транзистора.