Транзистор IXYS IXTQ22N50P N-MOSFET 500В 22А 350Вт TO3P (набор 3 шт.)

Транзистор IXYS IXTQ22N50P — это полевой N-MOSFET транзистор в корпусе TO3P. Устройство рассчитано на максимальное напряжение сток-исток 500 В и ток стока 22 А при мощности рассеивания 350 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 В
• Максимально допустимый ток стока: 22 А
• Максимальная мощность рассеивания: 350 Вт
• Корпус: TO3P, вставной монтаж
• Сопротивление в открытом состоянии: 270 мОм
• Количество в наборе: 3 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 500 В и максимально допустимый ток стока 22 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 350 Вт, что определяет тепловой режим работы компонента. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 270 мОм, что влияет на потери при проводимости.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в корпусе TO3P с вставным типом монтажа. Это полевой транзистор с каналом типа «wzbogacany» (обогащенный) и униполярной поляризацией. Время готовности (switching time) составляет 400 нс, что характеризует быстродействие переключения.

Комплектация и идентификация

В наборе поставляется 3 транзистора IXYS IXTQ22N50P. Символ производителя и TME идентичен: IXTQ22N50P. Заряд затвора составляет 50 нКл, что влияет на энергию управления при переключении. Компонент относится к категории стандартных силовых MOSFET.