Транзистор IXYS IXTQ130N20T, N-MOSFET, 200 В, 75 А, TO3P (3 шт.)

Транзистор IXYS IXTQ130N20T — это полевой N-MOSFET с технологией Trench™, с максимальным напряжением сток-исток 200 В и током стока 75 А. В комплект входит 3 единицы в корпусе TO3P.

• Тип транзистора: N-MOSFET, Trench™
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 В
• Максимально допустимый ток стока: 75 А
• Сопротивление в открытом состоянии: 16 мОм
• Корпус: TO3P, выводной монтаж
• Количество в комплекте: 3 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 200 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимально допустимый ток стока равен 75 А, при этом импульсный ток может достигать 320 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 16 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 830 Вт.

Конструкция и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе TO3P с выводным типом монтажа. Это полевой транзистор с каналом типа «wzbogacany» (обогащенный) и униполярной поляризацией.

Комплектация и дополнительные параметры

В наборе находится 3 транзистора. Символ производителя: IXTQ130N20T. Заряд затвора составляет 150 нКл.