Транзистор P-MOSFET IXYS IXTP32P20T, -200 В, -32 А, 300 Вт, TO220AB (набор 2 шт.)
1 890 ₴
- В наличии
- Код: TM203718
Транзистор P-MOSFET IXYS IXTP32P20T, -200 В, -32 А, 300 Вт, TO220AB (набор 2 шт.)В наличии
1 890 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Полевой транзистор P-MOSFET IXYS IXTP32P20T, выполненный по технологии TrenchP™. Напряжение сток-исток — -200 В, ток стока — -32 А, максимальная мощность рассеивания — 300 Вт. В наборе 2 шт.
- Напряжение сток-исток: -200 В
- Ток стока: -32 А
- Мощность рассеивания: 300 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 130 мОм
- Корпус: TO220AB
- Количество в наборе: 2 шт.
Электрические параметры
Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 130 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 15 В. Заряд затвора — 185 нКл, время готовности — 190 нс. Тип канала — обогащенный (режим обогащения), поляризация — униполярная.
Конструкция и монтаж
Корпус — TO220AB, тип монтажа — вставной.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 300 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 15 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 130 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 190 нс |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | TrenchP™ |
Информация для заказа
- Цена: 1 890 ₴