Транзистор IXYS IXTP26P20P — это полевой P-MOSFET в корпусе TO220AB. В комплекте 3 шт. Максимальная мощность рассеивания составляет 300 Вт.
- Тип транзистора: полевой (P-MOSFET)
- Максимальная мощность рассеивания: 300 Вт
- Напряжение затвор-исток: 20 В
- Сопротивление в открытом состоянии: 170 мОм
- Корпус: TO220AB
- Количество в комплекте: 3 шт.
Электрические параметры
Транзистор является полевым (FET) с каналом типа «обогащенный» и униполярной поляризацией. Максимально допустимое напряжение затвор-исток равно 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 170 мОм. Заряд затвора — 56 нКл.
Конструкция и монтаж
Изделие изготовлено по технологии PolarP™. Корпус — TO220AB. Тип монтажа — выводной (THT). Время готовности — 240 нс.
Комплектация и идентификация
В наборе 3 транзистора. Символ производителя: IXTP26P20P.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 300 Вт |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 170 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 240 нс |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 3 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | PolarP™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 220 ₴

