Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP01N100D, 1000 В, 0,1 А, TO220AB — набор 3 шт.

Транзистор N-MOSFET IXYS IXTP01N100D — это полевой транзистор в корпусе TO220AB. Устройство характеризуется максимально допустимым напряжением сток-исток 1000 В и током стока 0,1 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 В
• Максимально допустимый ток стока: 0,1 А
• Максимальная мощность рассеивания: 25 Вт
• Корпус: TO220AB, штыревой монтаж
• Количество в комплекте: 3 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимально допустимое напряжение сток-исток 1000 В. Максимально допустимый ток стока составляет 0,1 А. Мощность рассеивания ограничена значением 25 Вт. Время готовности составляет 2 нс.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в корпусе TO220AB с штыревым типом монтажа. Это полевой транзистор с каналом типа «обогащенный» и униполярной поляризацией. Заряд затвора составляет 0,1 мкКл.

Комплектация

В комплекте поставки находится 3 шт. транзисторов.