Транзистор P-MOSFET IXYS IXTH76P10T, -100 В, -76 А, 298 Вт, TO247-3 (набор 3 шт.)
2 380 ₴
- В наличии
- Код: TM203709
Транзистор P-MOSFET IXYS IXTH76P10T, -100 В, -76 А, 298 Вт, TO247-3 (набор 3 шт.)В наличии
2 380 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Полевой транзистор P-MOSFET IXYS IXTH76P10T, выполненный по технологии TrenchP™. Напряжение сток-исток — -100 В, ток стока — -76 А, максимальная мощность рассеивания — 298 Вт. В наборе 3 шт.
- Напряжение сток-исток: -100 В
- Ток стока: -76 А
- Мощность рассеивания: 298 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 25 мОм
- Корпус: TO247-3
- Количество в наборе: 3 шт.
Электрические параметры
Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 25 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 15 В. Заряд затвора — 197 нКл, время готовности — 70 нс. Тип канала — обогащенный (режим обогащения), поляризация — униполярная.
Конструкция и монтаж
Корпус — TO247-3, тип монтажа — вставной.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 298 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 15 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 25 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 70 нс |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 3 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
| Технология | TrenchP™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 380 ₴