Транзистор IXYS IXTH50P10 P-MOSFET -100В -50А TO247-3 (2 шт.)
2 150 ₴
- В наличии
- Код: TM203706
Транзистор IXYS IXTH50P10 P-MOSFET -100В -50А TO247-3 (2 шт.)В наличии
2 150 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
P-MOSFET транзистор IXYS IXTH50P10 в корпусе TO247-3. Максимальное напряжение затвор-исток составляет 20 В, а ток — -50 А.
- Тип транзистора: полевой (P-MOSFET)
- Максимальная мощность рассеивания: 300 Вт
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 55 мОм
- Корпус: TO247-3
- Количество в комплекте: 2 шт.
Электрические параметры
Транзистор является полевым (MOSFET) с каналом типа «обогащенный». Максимальная мощность рассеивания равна 300 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 55 мОм.
Конструкция и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO247-3. Тип монтажа — выводной. Время готовности — 180 нс.
Дополнительные характеристики и комплектация
Заряд затвора составляет 0,14 мкКл. Транзистор является униполярным. В наборе 2 шт.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 300 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 55 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 180 нс |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Информация для заказа
- Цена: 2 150 ₴