Транзистор IXYS IXTA32P05T P-MOSFET TrenchP™, -50В, -32А, TO263 (5 шт.)
1 930 ₴
- В наличии
- Код: TM203697
Транзистор IXYS IXTA32P05T P-MOSFET TrenchP™, -50В, -32А, TO263 (5 шт.)В наличии
1 930 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
P-канальный полевой транзистор IXYS IXTA32P05T изготовлен по технологии TrenchP™ в корпусе TO263. Предназначен для поверхностного монтажа, имеет максимальную мощность рассеивания 83 Вт и сопротивление в открытом состоянии 39 мОм.
- Тип транзистора: P-MOSFET (полевой)
- Технология: TrenchP™
- Корпус: TO263 (поверхностный монтаж)
- Максимальная мощность рассеивания: 83 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 39 мОм
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 В
- Количество в комплекте: 5 шт.
Электрические параметры и характеристики
Транзистор является униполярным P-MOSFET с каналом обогащения. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 15 В. Время готовности составляет 26 нс, а заряд затвора — 46 нКл.
Конструкция и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO263, что предполагает поверхностный монтаж (SMD). Технология TrenchP™. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 39 мОм.
Комплектация
В наборе поставляется 5 единиц транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 83 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 15 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 39 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 26 нс |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO263 |
| Технология | TrenchP™ |
Информация для заказа
- Цена: 1 930 ₴