
Транзистор P-MOSFET IXYS IXTA120P065T, -65 В, -120 А, 298 Вт, TO263 (набор 5 шт.)
2 710 ₴
- В наличии
- Код: TM203694
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Полевой транзистор IXYS IXTA120P065T с каналом P-типа (P-MOSFET): напряжение сток-исток -65 В, ток стока -120 А, максимальная мощность рассеивания 298 Вт. В наборе 5 шт.
- Напряжение сток-исток: -65 В
- Ток стока: -120 А
- Максимальная мощность рассеивания: 298 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 10 мОм
- Корпус: TO263
- Количество в наборе: 5 шт.
Электрические параметры
Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 15 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 10 мОм. Заряд затвора — 185 нКл. Время готовности — 53 нс.
Конструкция и монтаж
Корпус — TO263, тип монтажа — поверхностный. Технология — TrenchP™. Тип канала — обогащенный (режим обогащения), полярность — униполярный транзистор.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 298 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 15 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 10 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 53 нс |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO263 |
| Технология | TrenchP™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 710 ₴
