Транзистор IXYS IXFT120N30X3HV, N-MOSFET, 300 В, 120 А, TO268 (2 шт.)

Транзистор IXYS IXFT120N30X3HV — это полевой N-MOSFET в корпусе TO268. Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток 300 В и ток стока 120 А. В комплект поставки входят 2 штуки.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 В
• Максимально допустимый ток стока: 120 А
• Максимальная мощность рассеивания: 735 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 11 мОм
• Корпус: TO268, тип монтажа: поверхностный
• В комплекте: 2 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с максимальным напряжением сток-исток 300 В и максимальным напряжением затвор-исток 20 В. Максимально допустимый ток стока составляет 120 А, а мощность рассеивания — 735 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 11 мОм.

Конструкция и монтаж

Компонент изготовлен по технологии HiPerFET™, X3-Class. Канал транзистора является обогащенным, а поляризация — униполярной. Время включения (turn-on time) составляет 145 нс, а заряд затвора — 170 нКл. Монтаж осуществляется поверхностным способом (SMD).

Комплектация и идентификация

В наборе находятся 2 транзистора IXFT120N30X3HV.