Транзистор N-MOSFET IXYS IXFQ60N25X3, 250 В, 60 А, TO3P (набор 3 шт.)

Транзистор N-MOSFET IXYS IXFQ60N25X3 — это полевой транзистор с каналом обогащения, рассчитанный на максимальное напряжение сток-исток 250 В и ток стока 60 А. Прибор выполнен в корпусе TO3P с выводным типом монтажа и имеет максимальную мощность рассеивания 320 Вт.

• Тип транзистора: полевой (N-MOSFET)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 В
• Максимально допустимый ток стока: 60 А
• Максимальная мощность рассеивания: 320 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 23 мОм
• Корпус: TO3P, выводной монтаж
• Время готовности: 95 нс
• Количество в комплекте: 3 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 250 В и выдерживает ток стока до 60 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 23 мОм. Максимальная мощность рассеивания равна 320 Вт.

Конструкция и монтаж

Компонент имеет выводной тип монтажа и выполнен в корпусе TO3P. Время готовности (готовности к работе) составляет 95 нс. Транзистор является униполярным с обогащаемым каналом.

Технические особенности

В комплекте поставляется 3 шт. транзисторов IXFQ60N25X3. Символ TME для этого набора — IXFQ60N25X3.