Транзистор IXYS IXFN360N10T, 100 В, 360 А, SOT227B

IXFN360N10T — это силовой MOSFET-транзистор от производителя IXYS в корпусе SOT227B. Устройство характеризуется максимально допустимым напряжением сток-исток 100 В и током стока 360 А.

• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 В
• Максимально допустимый ток стока: 360 А
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 2.6 мОм
• Максимальная мощность рассеивания: 830 Вт
• Корпус: SOT227B
• Технология: GigaMOS™, HiPerFET™

Электрические параметры

Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 100 В и максимально допустимым напряжением затвор-исток 30 В. Максимально допустимый ток стока составляет 360 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 2.6 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 830 Вт.

Технология и конструкция

Компонент изготовлен по технологиям GigaMOS™ и HiPerFET™. Время включения (turn-on time) составляет 130 нс. Корпус SOT227B. Монтаж механический и электрический — винтовой. Структура полупроводника — одиночный транзистор. Тип модуля — транзисторный MOSFET. Полярность — униполярный. Канал — обогащенный.