Транзистор IXYS IXFN26N100P, 1000 В, 23 А, SOT227B

Модуль IXYS IXFN26N100P — это полупроводниковый компонент в корпусе SOT227B. Устройство представляет собой одиночный MOSFET-транзистор с максимальным напряжением сток-исток 1000 В и током стока 23 А.

• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 В
• Максимально допустимый ток стока: 23 А
• Максимальная мощность рассеивания: 595 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 390 мОм
• Корпус: SOT227B (винтовое крепление)

Электрические параметры

Модуль рассчитан на высокое напряжение: максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 1000 В, а затвор-исток — 40 В. Максимально допустимый ток стока равен 23 А, что определяет рабочий режим устройства. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 390 мОм, что влияет на тепловые потери при прохождении тока.

Мощность и монтаж

Максимальная мощность рассеивания модуля — 595 Вт. Корпус SOT227B предусматривает винтовое крепление для монтажа и электрического соединения. Время готовности (готовности к работе) составляет 300 нс. Модуль изготовлен по технологии HiPerFET™, Polar™. Структура полупроводника — одиночный транзистор. Канал — обогащенный, поляризация — униполярная. Импульсный ток стока составляет 65 А. Заряд затвора — 197 нКл.