Транзистор IXYS IXFN210N20P, 200 В, 188 А, SOT227B
4 360 ₴
- В наличии
- Код: TM203670
Транзистор IXYS IXFN210N20P, 200 В, 188 А, SOT227BВ наличии
4 360 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Одиночный силовой MOSFET-модуль IXYS IXFN210N20P в корпусе SOT227B. Устройство рассчитано на максимальное напряжение сток-исток 200 В и ток стока 188 А.
- Максимальная мощность рассеивания: 1070 Вт
- Напряжение сток-исток: 200 В
- Ток стока: 188 А
- Сопротивление в открытом состоянии: 10.5 мОм
- Корпус: SOT227B
Электрические параметры
Модуль имеет максимальную мощность рассеивания 1070 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 30 В, а напряжение сток-исток — 200 В. Максимальный ток стока равен 188 А, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 10.5 мОм.
Технология и структура
Модуль построен на базе технологий HiPerFET™ и Polar™. Структура полупроводника — одиночный транзистор с каналом типа «wzbogacany» (обогащенный) и униполярной поляризацией. Заряд затвора составляет 255 нКл, а импульсный ток стока — 600 А.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 1070 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 200 В |
| Максимально допустимый ток стока | 188 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 10.5 mOm |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 200 нс |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Корпус | SOT227B |
Информация для заказа
- Цена: 4 360 ₴