Транзистор IXYS IXFN20N120P, 1200 В, 20 А, SOT227B — набор 2 шт.
2 750 ₴
- В наличии
- Код: TM203669
Транзистор IXYS IXFN20N120P, 1200 В, 20 А, SOT227B — набор 2 шт.В наличии
2 750 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Одиночный MOSFET-транзистор IXFN20N120P от производителя IXYS в корпусе SOT227B. Устройство рассчитано на максимальное напряжение 1,2 кВ и ток стока 20 А.
- Максимальное напряжение: 1200 В
- Ток стока: 20 А
- Мощность рассеивания: 595 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 570 мОм
- Корпус: SOT227B
- В комплекте: 2 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение затвор-исток 40 В и сопротивление в открытом состоянии 570 мОм. Максимальная мощность рассеивания составляет 595 Вт. Время готовности устройства — 300 нс.
Конструкция и монтаж
Модуль выполнен в корпусе SOT227B с монтажом прикручиванием. Структура полупроводника — одиночный транзистор с обогащенным каналом. Технология производства — HiPerFET™, Polar™.
Технология и структура
В комплекте поставки 2 шт. транзисторов IXFN20N120P.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 595 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 40 В |
| Максимально допустимый ток стока | 20 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 570 mOm |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Время готовности | 300 нс |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | SOT227B |
Информация для заказа
- Цена: 2 750 ₴