Транзистор IXYS IXFN180N15P, 150 В, 150 А, SOT227B

IXFN180N15P — это силовой MOSFET-транзистор от производителя IXYS в корпусе SOT227B. Устройство имеет максимальное напряжение сток-исток 150 В и ток стока 150 А.

• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 В
• Максимально допустимый ток стока: 150 А
• Максимальная мощность рассеивания: 680 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 11 мОм
• Корпус: SOT227B, монтаж прикручиванием
• Технология: HiPerFET™, PolarHT™

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 150 В и максимально допустимый ток стока 150 А. Напряжение затвор-исток ограничено значением 30 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 11 мОм.

Мощность и технология

Максимальная мощность рассеивания равна 680 Вт. Компонент изготовлен по технологиям HiPerFET™ и PolarHT™. Время готовности транзистора составляет 200 нс.

Конструкция и монтаж

Транзистор выполнен в виде модуля с одним транзистором в корпусе SOT227B. Механический и электрический монтаж осуществляется прикручиванием.