Транзистор IXYS IXFN132N50P3, 500 В, 112 А, корпус SOT227B

IXFN132N50P3 — это силовой MOSFET-транзистор от производителя IXYS в модульном исполнении. Устройство рассчитано на высокое напряжение 500 В и ток стока до 112 А,

• Напряжение сток-исток: 500 В
• Ток стока: 112 А
• Мощность рассеивания: 1500 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 39 мОм
• Корпус: SOT227B

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 500 В, а напряжение затвор-исток — 40 В. Максимальный ток стока равен 112 А, при этом сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 39 мОм. Максимальная мощность рассеивания модуля — 1500 Вт.

Конструкция и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе SOT227B с монтажом прикручиванием. Это модуль с одним транзистором (single transistor), Время готовности составляет 250 нс.