Транзистор IXYS IXFN100N50P, 500 В, 75 А, SOT227B

Одиночный силовой MOSFET-транзистор IXYS IXFN100N50P в корпусе SOT227B. Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 500 В, максимально допустимый ток стока — 75 А.

• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 В
• Максимально допустимый ток стока: 75 А
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 49 мОм
• Максимальная мощность рассеивания: 1040 Вт
• Корпус: SOT227B (винтовой монтаж)
• Технология: HiPerFET™

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 500 В и максимально допустимый ток стока 75 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 49 мОм, что определяет потери мощности при прохождении тока. Максимальная мощность рассеивания равна 1040 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток ограничено значением 30 В.

Конструкция и монтаж

Компонент изготовлен по технологии HiPerFET™ и имеет время восстановления 200 нс. Корпус SOT227B предусматривает винтовой монтаж как для электрического, так и для механического крепления. Структура полупроводника — одиночный транзистор с каналом обогащенного типа и униполярной поляризацией. Максимальный ток стока в импульсе составляет 250 А. Заряд затвора равен 240 нКл. Тип полупроводникового модуля — транзисторный MOSFET.