Транзистор N-MOSFET IXYS IXFK32N80Q3, 800 В, 32 А, 1000 Вт, TO264 (2 шт.)

Транзистор N-MOSFET IXFK32N80Q3 от производителя IXYS — это полевой транзистор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 800 В и ток 32 А. В комплект входят 2 единицы в корпусе TO264.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 В
• Максимально допустимый ток стока: 32 А
• Максимальная мощность рассеивания: 1000 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 270 мОм
• Корпус: TO264, выводной монтаж
• Комплектация: 2 шт.

Электрические параметры и монтаж

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 800 В, что определяет рабочий диапазон устройства. Максимально допустимый ток стока равен 32 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 270 мОм.

Мощность и конструкция

Максимальная мощность рассеивания — 1000 Вт. Транзистор выполнен в корпусе TO264 с выводным типом монтажа. Поляризация — униполярная. Заряд затвора составляет 0,14 мкКл.