Транзистор IXYS IXFB150N65X2 N-MOSFET 650В 150А

Транзистор IXYS IXFB150N65X2 — это полевой транзистор типа N-MOSFET с напряжением сток-исток 650 В и током стока 150 А. Прибор выполнен в корпусе PLUS264™ с вставным типом монтажа.

• Тип транзистора: Полевой (N-MOSFET)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 В
• Максимально допустимый ток стока: 150 А
• Максимальная мощность рассеивания: 1560 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 17 мОм
• Корпус: PLUS264™

Электрические параметры

Максимальная мощность рассеивания транзистора составляет 1560 Вт. Максимально допустимое напряжение сток-исток равно 650 В, а напряжение затвор-исток — 30 В. Максимально допустимый ток стока — 150 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 17 мОм.

Технология изготовления

Прибор изготовлен по технологии HiPerFET™ класса X2-Class. Канал транзистора является обогащенным, а поляризация — униполярной.