Транзистор IGBT производства IXYS, модель IXBH16N170. Это полупроводниковый прибор в корпусе TO247-3 с технологией BiMOSFET™, рассчитанный на максимальное напряжение 1,7 кВ и ток 16 А. В комплекте поставляется 2 штуки.
- Тип транзистора: IGBT (полевой)
- Максимальное напряжение: 1,7 кВ
- Ток коллектора: 16 А
- Мощность рассеивания: 250 Вт
- Корпус: TO247-3
- Количество в комплекте: 2 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 1,7 кВ и максимально допустимый ток коллектора 120 А (номинальный ток в названии: 16 А). Максимальная мощность рассеивания составляет 250 Вт. Заряд затвора равен 72 нКл, а допустимое напряжение затвор-эмиттер — ±20 В.
Конструкция и монтаж
Прибор выполнен в корпусе TO247-3 с выводным типом монтажа. Используется технология BiMOSFET™ и FRED.
Комплектация
В наборе находятся 2 транзистора IXBH16N170.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IXYS |
| Максимальная мощность рассеивания | 250 Вт |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 2 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
| Технология | BiMOSFET™, FRED |
Информация для заказа
- Цена: 3 430 ₴

