Транзистор N-MOSFET Infineon IRLB4030PBF, 100 В, 180 А, TO220AB (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IRLB4030PBF — это полевой транзистор с каналом обогащения и логическим уровнем управления затвором. Устройство в корпусе TO220AB рассчитано на максимальное напряжение сток-исток 100 В и ток стока 180 А. В комплекте поставляется 10 единиц.

• Тип транзистора: N-MOSFET, полевой, с каналом обогащения
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 В
• Максимально допустимый ток стока: 180 А
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 4.3 мОм
• Корпус: TO220AB, выводной монтаж
• Комплектация: 10 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 100 В, а напряжение затвор-исток — 16 В. Максимальный ток стока равен 180 А, что определяет пропускную способность канала. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 4.3 мОм, что характеризует потери мощности при полном открытии. Максимальная мощность рассеивания — 370 Вт.

Технология и конструкция

Транзистор изготовлен по технологии HEXFET® в корпусе TO220AB. Тип монтажа — выводной, что предполагает пайку в отверстия печатной платы. Поляризация транзистора — униполярная, тип транзистора — полевой. Заряд затвора составляет 87 нКл.