Транзистор N-MOSFET Infineon IRLB3813PBF, 30В, 260А, 230Вт, TO220AB (набор 20 шт.)
3 580 ₴
- В наличии
- Код: TM203516
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLB3813PBF, 30В, 260А, 230Вт, TO220AB (набор 20 шт.)В наличии
3 580 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRLB3813PBF — это полевой транзистор с каналом обогащения, рассчитанный на максимальное напряжение сток-исток 30 В и ток стока 260 А.
- Максимально допустимый ток стока: 260 А
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 В
- Максимальная мощность рассеивания: 230 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 1.95 мОм
- Корпус: TO220AB, выводной монтаж
- Комплектация: 20 шт. в наборе
Электрические параметры и мощность
Транзистор имеет максимальную мощность рассеивания 230 Вт и сопротивление в открытом состоянии (Rds) 1.95 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 20 В, а заряд затвора — 57 нКл. Прибор работает по технологии HEXFET® и имеет логический уровень управления (logic level).
Технология и конструкция
Компонент выполнен в корпусе TO220AB с выводным типом монтажа. Это униполярный транзистор с каналом обогащения (wzbogacany).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 230 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 260 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1.95 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 3 580 ₴