Транзистор N-MOSFET Infineon IRFU120NPBF, 100 В, 9.1 А, IPAK (набор 30 шт.)
2 730 ₴
- В наличии
- Код: TM203505
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFU120NPBF, 100 В, 9.1 А, IPAK (набор 30 шт.)В наличии
2 730 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFU120NPBF — это полевой транзистор с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе IPAK и имеет максимальное напряжение сток-исток 100 В.
- Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 В
- Максимально допустимый ток стока: 9.1 А
- Максимальная мощность рассеивания: 39 Вт
- Корпус: IPAK, монтаж выводной
- Количество в наборе: 30 шт.
Электрические параметры
Прибор рассчитан на максимальный ток стока 9.1 А и напряжение затвор-исток 20 В. Максимальная мощность рассеивания составляет 39 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 210 мОм.
Конструкция и монтаж
Транзистор изготовлен по технологии HEXFET® в корпусе типа IPAK. Тип монтажа — выводной (THT), что предполагает установку в отверстия печатной платы. Поляризация транзистора — униполярная, канал — обогащенный (enhancement).
Комплектация
В набор поставляется 30 шт. транзисторов IRFU120NPBF.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 39 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 9.1 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 210 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | IPAK |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 2 730 ₴