Транзистор N-MOSFET Infineon IRFSL3207ZPBF, 75 В, 170 А, 300 Вт, TO262 (набор 5 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IRFSL3207ZPBF — это полевой транзистор с каналом обогащения, с максимальным током стока 170 А и напряжением сток-исток 75 В. Модель выполнена в корпусе TO262 с технологией HEXFET® и имеет максимальную мощность рассеивания 300 Вт.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 В
• Максимально допустимый ток стока: 170 А
• Максимальная мощность рассеивания: 300 Вт
• Корпус: TO262, выводной монтаж
• Технология: HEXFET®
• Количество в наборе: 5 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 75 В и выдерживает ток стока до 170 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 300 Вт.

Конструкция и монтаж

Компонент изготовлен в корпусе TO262 с выводным типом монтажа. Используется технология HEXFET®. Полярность транзистора — униполярная, канал — обогащенный (N-тип).

Комплектация

Товар поставляется набором из 5 транзисторов.