Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET Infineon Technologies IRFS7530TRL7PP, 60 В, 240 А, 375 Вт, D2PAK-7 (набор 5 шт.)

2 410 ₴

  • В наличии
  • Код: TM203503
Транзистор N-MOSFET Infineon Technologies IRFS7530TRL7PP, 60 В, 240 А, 375 Вт, D2PAK-7 (набор 5 шт.)
Транзистор N-MOSFET Infineon Technologies IRFS7530TRL7PP, 60 В, 240 А, 375 Вт, D2PAK-7 (набор 5 шт.)В наличии
2 410 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Полевой транзистор Infineon Technologies IRFS7530TRL7PP с каналом N-типа (N-MOSFET): напряжение сток-исток 60 В, ток стока 240 А, максимальная мощность рассеивания 375 Вт. В наборе 5 шт.

  • Напряжение сток-исток: 60 В
  • Ток стока: 240 А
  • Максимальная мощность рассеивания: 375 Вт
  • Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 1,4 мОм
  • Корпус: D2PAK-7
  • Количество в наборе: 5 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 1,4 мОм. Заряд затвора — 236 нКл.

Конструкция и монтаж

Корпус — D2PAK-7, тип монтажа — поверхностный. Технология — HEXFET®. Тип канала — обогащенный (режим обогащения), полярность — униполярный транзистор.

Характеристики
Основные
ПроизводительInfineon Technologies
Максимальная мощность рассеивания375 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток60 В
Максимально допустимый ток стока240 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)1.4 mOm
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
Гарантийный срок12 мес
Количество в комплекте5 шт.
КорпусD2PAK-7
ТехнологияHEXFET®
Информация для заказа
  • Цена: 2 410 ₴