Транзистор N-MOSFET Vishay IRFR110PBF, 100 В, 2,7 А, DPAK (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay IRFR110PBF — это полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Модель имеет максимальное напряжение сток-исток 100 В и ток стока 2,7 А, что соответствует параметрам, указанным в спецификации производителя.

• Тип транзистора: N-MOSFET, полевой, с каналом обогащения
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 В
• Максимально допустимый ток стока: 2,7 А (импульсный 17 А)
• Максимальная мощность рассеивания: 25 Вт
• Корпус: DPAK (TO252), поверхностный монтаж
• Количество в наборе: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 100 В и напряжением затвор-исток 20 В. Максимально допустимый ток стока составляет 2,7 А, а импульсный ток — 17 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 540 мОм, что определяет тепловые потери при пропускании тока.

Мощность и конструкция

Максимальная мощность рассеивания транзистора составляет 25 Вт. Прибор выполнен в корпусе DPAK (TO252). Тип монтажа — поверхностный.

Комплектация

В комплекте поставляется 20 транзисторов Vishay IRFR110PBF.