Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP260MPBF, 200 В, 35 А, TO247AC (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP260MPBF — это полевой транзистор с каналом обогащения, рассчитанный на максимальное напряжение сток-исток 200 В и ток стока 35 А. Прибор изготовлен по технологии HEXFET® в корпусе TO247AC для монтажа в отверстия.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 В
• Максимально допустимый ток стока: 35 А
• Максимальная мощность рассеивания: 300 Вт
• Корпус: TO247AC, монтаж в отверстия
• Количество в наборе: 10 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 200 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимальный ток стока равен 35 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 40 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 300 Вт.

Конструкция и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе TO247AC. Тип монтажа — выводной (THT), что требует соответствующих отверстий на печатной плате. Технология изготовления — HEXFET®.

Комплектация

В наборе поставляется 10 транзисторов IRFP260MPBF.