Транзистор N-MOSFET Vishay IRFBE30SPBF, 800 В, 2,6 А, D2PAK (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay IRFBE30SPBF — полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе D2PAK (TO263). Предназначен для работы с напряжением сток-исток до 800 В и током стока 2,6 А.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 В
• Максимально допустимый ток стока: 2,6 А
• Максимальная мощность рассеивания: 125 Вт
• Корпус: D2PAK (TO263), поверхностный монтаж
• Количество в наборе: 10 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 800 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимальный постоянный ток стока равен 2,6 А, при этом импульсный ток может достигать 16 А. Максимальная мощность рассеивания — 125 Вт.

Сопротивление и заряд затвора

Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 3000 мОм. Заряд затвора составляет 78 нКл. Транзистор является униполярным с каналом обогащения (wzbogacany).

Монтаж и корпус

Транзистор имеет поверхностный тип монтажа (SMD) и выполнен в корпусе D2PAK, также известном как TO263. В комплекте поставляется 10 штук.