Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB5615PBF, 150В, 35А, TO220AB (набор 20 шт.)
3 360 ₴
- В наличии
- Код: TM203471
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB5615PBF, 150В, 35А, TO220AB (набор 20 шт.)В наличии
3 360 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB5615PBF — это полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе TO220AB. В комплекте 20 единиц.
- Тип: N-MOSFET, полевой транзистор
- Напряжение сток-исток: 150 В
- Ток стока: 35 А
- Мощность рассеивания: 144 Вт
- Корпус: TO220AB, выводной монтаж
- Комплект: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 150 В и ток стока 35 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 144 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 39 мОм, а максимально допустимое напряжение затвор-исток — 20 В.
Конструкция и монтаж
Изделие изготовлено по технологии HEXFET® в корпусе TO220AB. Тип монтажа — выводной (THT). Поляризация транзистора — униполярная.
Комплектация и идентификация
В наборе 20 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 144 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 150 В |
| Максимально допустимый ток стока | 35 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 39 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 3 360 ₴