Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB52N15DPBF, 150 В, 60 А, TO220AB (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB52N15DPBF — полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе TO220AB. Максимальное напряжение сток-исток составляет 150 В, а ток стока — 60 А.

• Тип транзистора: полевой N-MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток: 150 В
• Максимальный ток стока: 60 А
• Мощность рассеивания: 320 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 32 мОм
• Корпус: TO220AB, штыревой монтаж
• Комплектация: 10 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с максимальным напряжением сток-исток 150 В и максимальным напряжением затвор-исток 30 В. Максимально допустимый ток стока равен 60 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 32 мОм, что определяет потери мощности при коммутации.

Мощность и конструкция

Максимальная мощность рассеивания транзистора — 320 Вт. Устройство изготовлено по технологии HEXFET®. Корпус TO220AB предназначен для штыревого монтажа. Заряд затвора — 60 нКл.