Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4019PBF, 150 В, 17 А, TO220AB (набор 20 шт.)
3 190 ₴
- В наличии
- Код: TM203469
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4019PBF, 150 В, 17 А, TO220AB (набор 20 шт.)В наличии
3 190 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4019PBF — это полевой транзистор с каналом обогащения (enhancement) в корпусе TO220AB. В комплекте поставляется 20 единиц.
- Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
- Максимальное напряжение сток-исток: 150 В
- Максимальный ток стока: 17 А
- Мощность рассеивания: 80 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 95 мОм
- Корпус: TO220AB
- Количество в комплекте: 20 шт.
Электрические параметры и конструкция
Максимальное напряжение сток-исток составляет 150 В, а максимально допустимый ток стока — 17 А. Максимальная мощность рассеивания равна 80 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 95 мОм.
Транзистор изготовлен по технологии HEXFET®. Тип монтажа — выводной. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 20 В. Заряд затвора составляет 13 нКл. Поляризация транзистора — униполярная.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon Technologies |
| Максимальная мощность рассеивания | 80 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 150 В |
| Максимально допустимый ток стока | 17 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 95 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Гарантийный срок | 12 мес |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | HEXFET® |
Информация для заказа
- Цена: 3 190 ₴